Моделирование процессов диффузии и упорядочения в тонкоплёночной системе Au/Cu методом кинетики среднего поля

Abstract

Рассмотрены возможности использования метода кинетики среднего поля для компьютерного моделирования диффузионных процессов в тонкоплёночной системе Au/Cu. Показано взаимное влияние диффузионной асимметрии, упорядочения и анизотропии. Полученные результаты позволяют проанализировать кинетику движения интерфейса, концентрационное распределение диффузантов, толщину и скорость роста упорядоченной фазы, приоритетные направления диффузии.Розглянуто можливості використання методу кінетики середнього поля для комп’ютерного моделювання дифузійних процесів у тонкоплівковій системі Au/Cu. Показано взаємний вплив дифузійної асиметрії, впорядкування та анізотропії. Одержані результати дозволяють проаналізувати кінетику руху інтерфейсу, концентраційні розподіли дифузантів, товщину та швидкість росту впорядкованої фази, пріоритетні напрямки дифузії.Possibilities of applying of the mean-field kinetics method to simulations of diffusion processes in thin-film system are considered. Mutual influence of diffusion asymmetry, ordering, and anisotropy is shown. The results of simulation allow analyzing kinetics of diffusion interface shifting, the concentration distribution of diffusants, ordered-phase thickness and growth rate, and priority directions of diffusion.