Вплив Cu на формування хімічно впорядкованої фази L1₀(FePt) в нанорозмірних плівках Fe₅₀Pt₅₀/Cu/Fe₅₀Pt₅₀ на підкладці SiO₂/Si(001)

Abstract

Методами фізичного матеріалознавства, а саме, рентґеноструктурним фазовим аналізом, атомно-силовою і магнітно-силовою мікроскопіями, Резерфордовим зворотним розсіянням, методом міряння магнітних властивостей за допомогою магнітооптичного Керрового ефекту та методом резистометрії досліджено вплив товщини проміжного шару Cu в нанорозмірних плівкових композиціях Fe₅₀Pt₅₀(15 нм)/Cu(х нм)/Fe₅₀Pt₅₀(15 нм) (де х = 0, 7,5, 15 і 30 нм) на підложжях SiO₂(100 нм)/Si(001) на процеси дифузійного фазоутворення – перехід хімічно невпорядкованої магнітом’якої фази А1(FePt) у хімічно впорядковану магнітотверду фазу L1₀(FePt) під час відпалів у вакуумі.Методами физического материаловедения, а именно, рентгеноструктурным фазовым анализом, атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопиями, резерфордовским обратным рассеянием, методом измерения магнитных свойств с помощью магнитооптического эффекта Керра и методом резистометрии исследовано влияние толщины промежуточного слоя Cu в наноразмерных плёночных Fe₅₀Pt₅₀(15 нм)/Cu(x нм)/Fe₅₀Pt₅₀(15 нм)-композициях (где х = 0, 7,5, 15 и 30 нм) на подложках SiO₂(100 нм)/Si(001) на процессы диффузионного фазообразования – переход химически неупорядоченной магнитомягкой фазы А1(FePt) в химически упорядоченную магнитотвёрдую фазу L1₀(FePt) при отжигах в вакууме.Within the nanoscale Fe₅₀Pt₅₀(15 nm)/Cu(x nm)/Fe₅₀Pt₅₀(15 nm) (where х = 0, 7.5, 15, 30 nm) film composition on SiO₂(100 nm)/Si(001) substrates, the influence of Cu intermediate layer thickness on the diffusion phase-formation processes, i.e. on transformation of chemically disordered magnetic-soft А1(FePt)-phase into chemically ordered magnetic-hard L1₀(FePt)-phase at annealing in vacuum is investigated by physical materials science methods: X-ray diffraction, atomic-force and magnetic-force microscopies, Rutherford backscattering, and resistometry. Magnetic properties are measured with magnetooptical Kerr effect method.