Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер

Abstract

Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности высокочастотного электронного тока через барьер от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Показано, что активная часть плотности высокочастотного электронного тока может быть отрицательной при надбарьерном прохождении электронов через барьер.Досліджено тунелювання електронів крізь нестаціонарний тунельний бар’єр у наближенні малої амплітуди змінного електричного поля. Визначені умови застосування режиму одноквантових електронних переходів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр. Досліджена залежність щільності високочастотного електронного струму крізь бар’єр від частоти і прикладеної сталої напруги зміщення. Показано, що активна частина щільності високочастотного електронного струму може бути негативною при надбар’єрному проходженні електронів крізь бар’єр.Tunneling electrons through a non-stationary tunnel barrier in approximation of small amplitude of a variable electric field is investigated. Conditions of applicability of a mode of onequantum electronic transitions through a nonstationary potential barrier are determined. Dependence of density of a high-frequency electronic current through a barrier from frequency and the enclosed constant bias voltage of displacement is considered. It is shown, that the active part of density of a highfrequency electronic current can be negative at the abovebarrieric passage electrons through a barrier.