Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Анотація
В статье проводится анализ процесса формирования статического домена и лавинного умножения тока в нем на основе двухтемпературной модели варизонного AlGaAs.
У статті проводиться аналіз процесу формування статичного домена та лавинного множення струму в ньому на основі двотемпературної моделі варізонного AlGaAs.
The article analyzes the process of formation of a static domain and avalanche multiplication of current in it on the basis of the two-temperature model variband Al-GaAs.
У статті проводиться аналіз процесу формування статичного домена та лавинного множення струму в ньому на основі двотемпературної моделі варізонного AlGaAs.
The article analyzes the process of formation of a static domain and avalanche multiplication of current in it on the basis of the two-temperature model variband Al-GaAs.
Опис
Теми
Вакуумная и твердотельная электроника
Цитування
Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2015. — Т. 6(20), № 3. — С. 90-95. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.