Повышение интенсивности излучения в трехмерной фотонной структуре с дефектной модой

Abstract

Исследуется резонансное увеличение коэффициента прохождения плоской электромагнитной волны через многослойный трехмерный полностью диэлектрический фотонный кристалл, в котором для получения высокой плотности моды специально создан дефектный слой с включениями активной среды. Проведено сравнение значений коэффициента прохождения для структур с разными толщинами дефектного слоя и с разными значениями мнимой части диэлектрической проницаемости активной среды.Досліджується резонансне підвищення коефіцієнта проходження плоскої електромагнітної хвилі через багатошаровий тривимірний повністю діелектричний фотонний кристал, в якому для отримання високої щільності моди спеціально створено дефектний шар із включеннями активного середовища. Виконано порівняння значень коефіцієнта проходження для структур з різними товщинами дефектного шару і з різними значеннями уявної частини діелектричної проникності активного середовища.The resonant enhancement of a plane electromagnetic wave transmission through a multi-layered three-dimensional all-dielectric photonic crystal, in which a defect layer with active medium inclusions is designed specifically to obtain a highdensity mode, has been investigated. A comparison of the transmission coefficients for the structures with different defect layer thicknesses and different imaginary parts of the active medium dielectric constant is performed.