Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Анотація
The effect of a weak static magnetic field on the structure and charge state of silicon for solar energy storage is investigated. As found, the magnetic-fieldstimulated changes in the defect—impurity state and surface potential are reversible.
В роботі досліджено вплив слабкого сталого магнітного поля на структуру та зарядовий стан кремнію для сонячної енергетики. Виявлено, що магнітостимульовані зміни дефектно-домішкового стану та поверхневого потенціалу мають зворотній характер.
В работе исследуется влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Обнаружено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер.
В роботі досліджено вплив слабкого сталого магнітного поля на структуру та зарядовий стан кремнію для сонячної енергетики. Виявлено, що магнітостимульовані зміни дефектно-домішкового стану та поверхневого потенціалу мають зворотній характер.
В работе исследуется влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Обнаружено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер.
Опис
Теми
Дефекты кристаллической решётки
Цитування
Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage / V.A. Makara, L.P. Steblenko, O.A. Korotchenkov, A.B. Nadtochiy, D.V. Kalinichenko, A.M. Kuryliuk, Yu.L Kobzar.,O.M. Krit // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 2. — С. 189-193. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.