Термостабильность наноразмерных плёнок Co—Sb

Abstract

Исследовано формирование фазового состава и структуры в наноразмерных плёнках CoSbx (30 нм) (1,82 ≤ х ≤ 4,16), осаждённых методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложки окислённого монокристаллического кремния при комнатной температуре и температуре 200°C с последующей термической обработкой в вакууме в интервале температур 300—700°C.Досліджено формування фазового складу і структури в нанорозмірних плівках CoSbx (30 нм) (1,82 ≤ х ≤ 4,16), осаджених методою молекулярно-променево ї епітаксі ї на підложжя окисненого монокристалічного кремнію за кімнатно ї температури і температури 200°C з подальшим термічним обробленням у вакуумі в інтервалі температур 300—700°C.Formation of phase composition and structure is investigated in nanoscale CoSbx (30 nm) (1.82 ≤ х ≤ 4.16) films deposited by the method of molecular-beam epitaxy on the substrates of the oxidized monocrystalline silicon at room temperature and 200°C with subsequent thermal treatment in a vacuum within the temperature range of 300—700°C.