Pulsed Laser Deposition of Thin Iron and Chromium Silicide Films with Large Thermoelectromotive Force Coefficient
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Анотація
Nanostructures in the form of thin films exhibiting the semiconductor properties with a narrow energy-band gap are deposited from the CrSi₂ and β-FeSi₂ targets by means of the pulsed laser deposition (PLD) assisted with an excimer KrF laser.
Наноструктури у формі тонких плівок, що проявили напівпровідникові властивості, з вузькою енергетичною забороненою зоною було осаджено методом імпульсного лазерного осадження (PLD) з мішеней CrSi₂ і β-FeSi₂ із застосуванням ексимерного KrF-лазера.
Наноструктуры в форме тонких плёнок, которые проявили полупроводниковые свойства, с узкой энергетической запрещённой зоной были осаждены методом импульсного лазерного осаждения (PLD) из мишеней CrSi₂ и β-FeSi₂ с применением эксимерного KrF-лазера.
Наноструктури у формі тонких плівок, що проявили напівпровідникові властивості, з вузькою енергетичною забороненою зоною було осаджено методом імпульсного лазерного осадження (PLD) з мішеней CrSi₂ і β-FeSi₂ із застосуванням ексимерного KrF-лазера.
Наноструктуры в форме тонких плёнок, которые проявили полупроводниковые свойства, с узкой энергетической запрещённой зоной были осаждены методом импульсного лазерного осаждения (PLD) из мишеней CrSi₂ и β-FeSi₂ с применением эксимерного KrF-лазера.
Опис
Теми
Цитування
Pulsed Laser Deposition of Thin Iron and Chromium Silicide Films with Large Thermoelectromotive Force Coefficient / S.A. Mulenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 3. — С. 623–632. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.