Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Анотація
Моделируется усиление импульса в фотоумножителе на основе pn-i-pn структуры с внутренним (лавинно-каскадным)
усилением. Рассчитаны коэффициент усиления, быстродействие и шум лавинного умножения. Показано, что рассматриваемые
фотоумножители имеют высокий коэффициент усиления, низкий порог чувствительности по току и более надежны в работе по
сравнению с лавинными фотодиодами.
Моделюється імпульсний фотопомножувач на основі лавинної pn-i-pn структури з внутрішнім (лавинно-каскадним) посиленням. Розраховані коефіцієнт посилення, швидкодія і шум лавинного множення. Показано, що фотопомножувачі на основі цих структур мають високий коефіцієнпосилення, низький поріг чутливості по струму і надійніші в роботі в порівнянні з лавинними фотодіодами.
An impulsive photomultiplier is designed on the basis of avalanches pn-i-pn structures with the internal (avalanche-cascade) amplification. An amplification coefficient, fast-acting and noise of avalanche multiplication are expected. It is shown that photomultipliers on the basis of pn-i-pn structures have a high amplification coefficient, low threshold of sensitiveness on a current and more reliable in work as compared to avalanches photodiodes.
Моделюється імпульсний фотопомножувач на основі лавинної pn-i-pn структури з внутрішнім (лавинно-каскадним) посиленням. Розраховані коефіцієнт посилення, швидкодія і шум лавинного множення. Показано, що фотопомножувачі на основі цих структур мають високий коефіцієнпосилення, низький поріг чутливості по струму і надійніші в роботі в порівнянні з лавинними фотодіодами.
An impulsive photomultiplier is designed on the basis of avalanches pn-i-pn structures with the internal (avalanche-cascade) amplification. An amplification coefficient, fast-acting and noise of avalanche multiplication are expected. It is shown that photomultipliers on the basis of pn-i-pn structures have a high amplification coefficient, low threshold of sensitiveness on a current and more reliable in work as compared to avalanches photodiodes.
Опис
Теми
Прикладная радиофизика
Цитування
Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами моделювання імпульсного / K.A. Лукин, Х.A. Сердейра, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 444-450. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.