Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов

Abstract

Современные технологии магнетронного напыления технологических и декоративных покрытий сегодня широко используются во всем мире. Наряду с использованием вакуумно-дуговых методов обработки они позволяют отказаться от экологически вредных химических методов получения слоев с заданными параметрами. Для получения качественных покрытий необходима предварительная очистка и активация поверхности непосредственно перед напылением. Наиболее логичным решением представляется использование для этих целей плазменных источников близкого к магнетронам типа. Представляемая статья посвящена рассмотрению возможности работы в едином технологическом цикле с магнетроном различных модификаций плазменного ускорителя с анодным слоем. Представленные результаты демонстрируют высокую эффективность таких устройств и возможность создания технологических линий по непрерывной обработке поверхностей с различной геометрией. Скорости травления по меди (больше 1 нм/с) не уступают лучшим известным данным для источников кауфмановского типа. Диапазон рабочих давлений (до 1,2-3*10⁻³ мм рт.ст.) позволяет их размещать в общей камере с магнетроном.