Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu

Abstract

Измерена зависимость термоэлектродвижущей силы S(hCu) многослойных композиций Al—Cu от толщины медного слоя hCu в диапазоне hCu = (20—1200) нм. Градиент температуры был перпендикулярным к плоскостям слоёв. Когда 1200 нм > hCu >> lCu (lCu ≤ (30—42) нм – длина свободного пробега электрона в меди), тогда |S| ≅ 4 мкВ⋅К⁻¹ сравнима с |S| биметаллов. Когда hCu < 100 нм, слои препятствуют движению электронов как сверхрешётка.Виміряна залежність термоелектрорушійної сили S(hCu) багатошарових композицій Al—Cu від товщини мідного шару hCu у діяпазоні hCu = (20—1200) нм. Ґрадієнт температури був перпендикулярним до площин шарів. Коли 1200 нм > hCu >> lCu нм (lCu ≤ (30—42) – довжина вільного пробігу електрона в міді), тоді |S| ≅ 4 мкВ⋅К⁻¹ є порівнянною із |S| біметалів. Коли hCu < 100 нм, шари перешкоджають рухові електронів як надґратниця.The dependence of the thermoelectric power S(hCu) of multilayer composition Al—Cu on the Cu-layer thickness, hCu, is measured in range hCu = (20—1200) nm. The temperature gradient is normal to plains of layers. When 1200 nm > hСu >> lCu (lCu ≤ (30—42) nm–electron free pass in Cu), the |S| ≅ 4 μV⋅K⁻¹ is comparable with |S| of bimetals. When hСu < 100 nm, the layers impede to electron motion as superlattice.