Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов

Abstract

Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p- канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного к области канала через двухслойный подзатворный диэлектрик SiO₂/Si₃N₄. Приведены данные экспериментов, на основании которых выдвинуто предположение о механизме наблюдаемой нестабильности. Показано, что отжиг в водороде на завершающей стадии процесса изготовления датчиков улучшает стабильность их характеристик.The drift of transfer characteristics and threshold voltage of the p-channel ionselective field-effect transistors with induced channel, caused by long-term continuos influence of negative voltage applied to the channel area through the two-layer SiO₂/Si₃N₄ gate dielectric has beck investigated. Based on the experimental data a mechanism of the observed instability is proposed. It is shown that annealing in hydrogen at the final stage of sensors manufacturing improves the stability of their characteristics.