Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
В работе исследованы процессы электронно-лучевой и голографической записи поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред. Исследованы оптические свойства слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. Спектральные зависимости показателя преломления проанализированы в рамках одноосцилляторной модели. С использованием зависимости Тауца определены значения ширины оптической запрещенной зоны для слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. С помощью электронно-лучевой и голографической записи на многослойных наноструктурах Ge₅As₃₇S₅₈–Se получены дифракционные решетки. Также электронным лучом попиксельно было записано изображение герба Украины, размер изображения составлял 512×512 пикселей (размер одного пикселя составлял ~2 мкм). Многослойные наноструктуры Ge₅As₃₇S₅₈–Se перспективны как регистрирующие среды для записи голограммных дифракционных решеток и других оптических элементов.
Processes of e-beam and holographic recording of surface-relief structures by using the Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures as registering media have been studied. Optical properties of Ge₅As₃₇S₅₈, Se layers and Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures have been also investigated. Spectral dependences of refractive index have been analyzed within the frames of single oscillator model. Values of optical band gap for Ge₅As₃₇S₅₈, Se layers and Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures have been determined from the Tauc dependence. Using the e-beam and holographic recording on Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures the diffraction gratings have been obtained. The image of state emblem of Ukraine was also obtained using the e-beam recording. The image size consisted of 512×512 pixels (size of one pixel was ~2 μm). The Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures as registering media are perspective for direct recording the holographic diffraction gratings and other optical elements.
Processes of e-beam and holographic recording of surface-relief structures by using the Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures as registering media have been studied. Optical properties of Ge₅As₃₇S₅₈, Se layers and Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures have been also investigated. Spectral dependences of refractive index have been analyzed within the frames of single oscillator model. Values of optical band gap for Ge₅As₃₇S₅₈, Se layers and Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures have been determined from the Tauc dependence. Using the e-beam and holographic recording on Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures the diffraction gratings have been obtained. The image of state emblem of Ukraine was also obtained using the e-beam recording. The image size consisted of 512×512 pixels (size of one pixel was ~2 μm). The Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures as registering media are perspective for direct recording the holographic diffraction gratings and other optical elements.
Опис
Теми
Цитування
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред / А.П. Паюк, А.Ю. Мешалкин, А.В. Стронский, Е.А. Акимова, С.А. Сергеев, В.Г. Абашкин, О.С. Литвин, П.Ф. Олексенко, А.М. Присакарь, Г.М. Тридух, Е.В. Сенченко с// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 79-86. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.