Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий

Abstract

Изучены спектры тока короткого замыкания в структуре p-CdTe-SiO₂-Si в зависимости от величины внешнего воздействия. Наблюдается смещение спектров в коротковолновую область, вследствие чего в этих структурах изменяются энергии оптической активации глубокого уровня. Предлагается модель для распределения потенциала, деформирующего пространственное и энергетическое распределение носителя.Вивчені спектри струму короткого замикання в структурі p-CdTe-SiO₂-Si в залежності від величини зовнішнього впливу. Спостерігається зсув спектрів у короткохвильову область, внаслідок чого в цих структурах змінюються енергії оптичної активації глибокого рівня. Пропонується модель для розподілу потенціалу, що деформує просторовий та енергетичний розподіли носія.The spectors of short curcuit current in p-CdTe-SiO₂-Si structure according to the magnitude of external crown discharge in static rejime have been investigated. It`s observed the shift of spectors it the short-wave area due to the energy of optic activation of deep level has changed. The model for the distribution of spatial deformulating potential and energetic distribution of carriers is offered.