Электронное допирование NbSe₂

Abstract

Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости.Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110}, {210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини.The influence of fast electrons irradiation on hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied by the methods of x-ray and electron diffraction. Detected changes on diffraction patterns are attributed to redistribution of electron density under irradiation, notably it increases in the planes with close packing — basal and prismatic — {110} and {210}. The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering under high radiation doses is associated with increasing of the electronic Fermi-liquid density.