О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Анотація
Обсуждаются две полупроводниковые системы, в которых наблюдается бозеонденсация экситонов:
квантовые ямы с пространственно непрямыми, диполярными экситонами и экситонные поляритоны в
полупроводниковых микрорезонаторах.
Обговорюються дві напівпровідникові системи, в яких спостерігається бозе-конденсація екситонів: квантові ями з просторово непрямими, диполярними екситонами та екситонні поляритони в напівпровідникових мікрорезонаторах.
The review concerns on two semiconductor systems which exhibit the Bose condensation of excitons, namely, quantum wells with spatiallyindirect dipolar excitons and excitonic polaritons, in semiconductor microresonators.
Обговорюються дві напівпровідникові системи, в яких спостерігається бозе-конденсація екситонів: квантові ями з просторово непрямими, диполярними екситонами та екситонні поляритони в напівпровідникових мікрорезонаторах.
The review concerns on two semiconductor systems which exhibit the Bose condensation of excitons, namely, quantum wells with spatiallyindirect dipolar excitons and excitonic polaritons, in semiconductor microresonators.
Опис
Теми
Оптика и магнитооптика
Цитування
О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных
полупроводниковых гетероструктурах / В.Б. Тимофеев // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 7. — С. 693-702. — Бібліогр.: 49 назв. — рос.