Resistance thermometers based on the germanium films

Завантаження...
Ескіз

Дата

Автори

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

The latest achievements in the field of development of resistance thermometers based on the germanium films on gallium arsenide are presented and summarized. Basic models of Ge film thermometers, which cover the temperature range from 0.02 to 500 K, are considered. Characteristics of the thermometers in high magnetic fields and under the action of ionizing irradiation (neutrons and gamma-rays) are presented.

Опис

Теми

Цитування

Resistance thermometers based on the germanium films / Mitin V.F. // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 115-123. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced