Features of Auger-emission in channeling

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Shown in this paper is the influence of channeling effect on formation of the signal for low- and high-energy Auger-electrons observed in monocrystalline silicon. It has been ascertained the anisotropic (wave-like) character of the yield value for lowenergy Auger-electrons in silicon, when changing the angle of acting initial radiation during sample rotation.

Опис

Теми

Цитування

Features of Auger-emission in channeling / I.A. Kossko, A.Ye. Denisov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 97-99. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced