Features of Auger-emission in channeling
Завантаження...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Shown in this paper is the influence of channeling effect on formation of the
signal for low- and high-energy Auger-electrons observed in monocrystalline silicon. It
has been ascertained the anisotropic (wave-like) character of the yield value for lowenergy
Auger-electrons in silicon, when changing the angle of acting initial radiation
during sample rotation.
Опис
Теми
Цитування
Features of Auger-emission in channeling / I.A. Kossko, A.Ye. Denisov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 97-99. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.