Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
We studied the effect of uniform compression on characteristics of Au–n-Si
Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor. It is shown that
overcompensation is caused by formation of structural defects owing to thermal
treatment of the initial silicon wafers.
Опис
Теми
Цитування
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes
made of overcompensated semiconductor / S.I. Vlasov, F.A. Saparov, K.A. Ismailov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 4. — С. 363-365. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.