Electron-electron drag in crystals with multivalley band
Завантаження...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Mobility of electrons in multivalley bands of Si and Ge is considered with due
regard for intervalley drag. It is shown that drag sufficiently diminishes electron mobility
at low temperatures. This effect is clearer pronounced in germanium than in silicon.
Опис
Теми
Цитування
Electron-electron drag in crystals with multivalley band / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 212-217. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.