Влияние давления на критическую температуру монокристаллов Y₀,₉₅Pr₀,₀₅Ba₂Cu₃O₇–δ с заданной геометрией плоских дефектов

Abstract

Исследовано влияние высокого гидростатического давления до 17 кбар на проводимость в базисной abплоскости слабодопированных празеодимом (х ≈ 0,05) монокристаллических образцов Y₁–xPrxBa₂Cu₃O₇–δ с системой однонаправленных двойниковых границ. Обнаружено, что, в отличие от беспримесных образцов YBa₂Cu₃O₇–δ с оптимальным содержанием кислорода, приложение высокого давления приводит к двойному возрастанию величины барической производной dТс/dP. Обсуждаются возможные механизмы влияния высокого давления на Тс с учетом наличия особенностей в электронном спектре носителей.Досліджено вплив високого гідростатичного тиску до 17 кбар на провідність у базисній ab-площині слабодопованих празеодімом (х ≈ 0,05) монокристалічних зразків Y₁–xPrxBa₂Cu₃O₇–δ з системою односпрямованих двійникових границь. Виявлено, що, на відміну від бездомішкових зразків YBa₂Cu₃O₇–δ з оптимальним вмістом кисню, прикладення високого тиску призводить до подвійного зростання величини баричної похідної dТс/dP. Обговорюються можливі механізми впливу високого тиску на Тс з урахуванням наявності особливостей в електронному спектрі носіїв.The influence of high hydrostatic pressure up to 17 kbar on conductivity in the basal ab-plane of slightly Pr-doped (x ≈ 0.05) Y₁–xPrxBa₂Cu₃O₇–δ singlecrystal samples with the system of unidirectional twin boundaries is investigated. It is found that, in contrast to undoped YBa₂Cu₃O₇–δ samples with an optimal oxygen content, the application of high pressure leads to a double increase of the values of pressure derivative dТс/dP. Possible mechanisms of high pressure effects on Тс are discussed with taking into account the presence of singularities in the electron spectrum of the charge carriers.