Dielectric relaxation and freezing effect in Sn₂P₂S₆

Abstract

The temperature-frequency studies of dielectric susceptibility in Sn₂P₂S₆, Sn₂P₂Se₆, (PbySn₁−y)₂P2Se₆ and crystals at low temperatures are reported. The freezing relaxation dynamics has been observed in a temperature-frequency dependence of the dielectric properties in the crystals which are in a polydomain ferroelectric state as well as in the crystals (PbySn₁−y)₂P₂Se₆ with y > 0.4 which at low temperatures are in the incommensurate phase. The nature of the effect and its interrelation with dynamics of ferroelectric domain walls and incommensurate structure is discussed.В роботі приводяться температурно-частотні дослідження діелектричної проникливості при низьких температурах в кристалах в Sn₂P₂S₆, Sn₂P₂Se₆, (PbySn₁−y)₂P2Se₆. Спостерігалося заморожування релаксаційної динаміки на температурно-частотних залежностях діелектричних властивостей, як в кристалах які при низьких температурах знаходяться в сегнетоелектричному полідоменному стані, так і в кристалах (PbySn₁−y)₂P₂Se₆ with y > 0.4, які при низьких температурах знаходяться в неспівмірній фазі. Обговорюється природа ефекту у взаємозв’язку з сегнетоелектричними доменами і неспівмірною структурою.