Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
A detailed analysis of the method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition x from measurements of 4.2 K peak position of the emission band induced by annihilation of excitons bound with neutral shallow acceptors is given. Found are the conditions fulfillment of which permits to obtain reliable x values by the above luminescence method.
Опис
Теми
Цитування
Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition / K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.