Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Properties of cadmium telluride films on silicon substrate, distribution of thickness and refraction index over the sample area were investigated by the ellipsometric method. It was ascertained that the refraction index of cadmium telluride films on a silicon substrate was considerably less than that of monocrystalline CdTe and depends on the film thickness, increasing with the thickness growth.

Опис

Теми

Цитування

Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate / V.A. Odarych, A.Z. Sarsembaeva, F.F. Sizov, M.V. Vuichyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 55-59. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced