Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
This paper presents research of the process for growing the crystals of semiconductor solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe under conditions of a modified zone melting.
Опис
Теми
Цитування
Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method / I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 22-25. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.