Noise induced re-entrant transitions in exciton bistable system
Завантаження...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
We study a re-entrant transition in an exciton bistable system under the influence of multiplicative noise. The re-entrant behavior is predictable for specific values of the system control parameter when increasing the multiplicative noise intensity. The system of Wannier-Mott excitons exhibits bistable ↔ monostable transitions in a window of intermediate amplitudes of the multiplicative noise intensity demonstrating its destructive and constructive role.
Опис
Теми
Цитування
Noise induced re-entrant transitions in exciton bistable system / Yu. Gudyma, B. Ivans'kii, O. Semenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 88-92. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.