Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Simulation of long-time changes in photoluminescence of n-GaAs has been performed, and the mechanism of transformation of the defect structure caused by magnetic field treatments has been represented.
Опис
Теми
Цитування
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments / G.V. Milenin, R.A. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 3. — С. 279-284. — Бібліогр.: 29 назв. — англ.