Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal

Abstract

Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation.Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности.Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe₂ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини.