Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂

Abstract

Исследована система полупроводниковых твердых растворов TlGaSе₂–TlFeSe₂. Рентгеноструктурный анализ позволил установить параметры кристаллической решетки соединений данной системы. В температурном интервале 10–120 К проведены экспериментальные исследования спектров поглощения монокристаллов твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂ (x = 0; 0,005; 0,01), определены энергетические положения и коэффициенты температурного сдвига экситонов на краю и в глубине оптического поглощения.Досліджено систему напівпровідникових твердих розчинів TlGaSе₂–TlFeSe₂. Рентгеноструктурний аналіз дозволив установити параметри кристалічної гратки сполук даної системи. У температурному інтервалі 10–120 К проведено експериментальні дослідження спектрів поглинання монокристалів твердих розчинів TIGa₁₋xFexSe₂ (x = 0; 0,005; 0,01), визначено енергетичні положення та коефіцієнти температурного зсування екситонів на краю й у глибині оптичного поглинання.The solid solutions of TlGaSе₂–TlFeSe₂ semiconductive system has been investigated. The x-ray diffraction analysis made it possible to estimate the crystal lattice parameters of this system compounds. The absorption spectra experimental measurements of TIGa₁₋xFexSe₂ single crystals (x = 0; 0.005; 0.01) were made at 10–120 K temperature interval. The level positions and the coefficients of temperature shift of excitons at the edge of and deep are optical absorption were determined.