Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах

Abstract

Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носителей, температуры, магнитного поля и величины эффективного притягивающего взаимодействия, приводящего к зарядовому упорядочению.The nonoscillatory (with respect to magnetic field) part of the magnetoresistance of layered charge-ordered crystals is determined under the condition that the relaxation time of the charge carriers is inversely proportional to their density of states. It is demonstrated that inversion of the magnetoresistance can occur as a function of the carrier concentration, temperature, magnetic field, and value of the effective attractive interaction that leads to the charge ordering.Визначена неосцилююча відносно магнітного поля частина магнітоопору шаруватихзарядово-впорядкованих кристалів за умови, що час релаксації носіїв заряду оберненопропорційний до густини їх станів. Доведено можливість інверсії магнітоопору взалежності від концентрації носіїв, температури, магнітного поля і величини ефективноїпритягуючої взаємодії, що веде до зарядового впорядкування.