Производные селенофена как новые прекурсоры для полупроводниковых наночастиц CdSe и CdSeS

Abstract

Исследованы возможности производных селенофена в качестве новых источников селена в синтезе полупроводниковых частиц типа AIIBVI, в частности селенида кадмия. Использование этих соединений в синтезе наночастиц по методу высокотемпературного пиролиза позволило получить люминесцентные наночастицы CdSe различной формы (тетраподы, точки) в зависимости от используемых стабилизаторов, прекурсоров и температурного режима. Квантовые точки CdSe, а также CdSe/CdS структуры «ядро–оболочка» или «градиентный сплав» обладают максимальным квантовым выходом люминесценции до 20%.Possibilities of selenophene derivatives as new sources of selenium in the synthesis of the AIIBVI-type semiconductor particles, in particular, of cadmium selenide, are investigated. The use of these compounds in the synthesis of nanoparticles by high-temperature pyrolysis method enables fabrication of the luminescent CdSe nanoparticles of different shapes (tetrapods, dots) depending on the stabilizers, precursors, and temperature. The СdSe and СdSe/CdS quantum dots of ‘core–shell’ or ‘gradient alloy’ structures have the quantum yield of luminescence of up to 20%.Досліджено можливості похідних селенофену як нових джерел Селену в синтезі напівпровідникових частинок типу AIIBVI, зокрема селеніду кадмію. Використання цих сполук у синтезі наночастинок за методою високотемпературного піролізу уможливило одержати люмінесцентні наночастинки СdSe різної форми (тетраподи, точки), залежно від використовуваних стабілізаторів, прекурсорів і температурного режиму. Квантові точки СdSe, а також СdSe/CdS структури «ядро–оболонка» або «ґрадієнтний стоп» мають максимальний квантовий вихід люмінесценції до 20%.