Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Анотація
В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации.
У даній статті розглянуто особливості хеміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV щавильними композиціями(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ з використанням C₆H₈O₇ різної вихідної концентрації.
In this article, the peculiarities of the chemical-dynamic polishing of III–V semiconductors in the etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ compositions using various C₆H₈O₇ concentrations are determined.
У даній статті розглянуто особливості хеміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV щавильними композиціями(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ з використанням C₆H₈O₇ різної вихідної концентрації.
In this article, the peculiarities of the chemical-dynamic polishing of III–V semiconductors in the etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ compositions using various C₆H₈O₇ concentrations are determined.
Опис
Теми
Цитування
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 / И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 3. — С. 495–506. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.