Направленное зародышеобразование монокристаллов алмаза при использовании метода температурного градиента

Abstract

Исследован процесс кристаллизации алмаза, происходящий в результате изменения пресыщения в раствор-расплавных системах на основе Fe–Al и Fe–Co при давлении 6±0,1 ГПа за счет изменения температуры и позволяющий осуществлять направленное зародышеобразование и рост. Исследовано влияние переохлаждения, которое является необходимым условием образования спонтанных зародышей, на количество кристаллов алмаза и их распределение в реакционном объеме. Определена зависимость количества выращенных кристаллов от изменения р,Т-условий кристаллизации алмаза.Досліджено процес кристалізації алмазу, що відбувається в результаті зміни пересичення в розчин-расплавних системах на основі Fe–Al і Fe–Co при тиску 6±0,1 ГПа за рахунок зміни температури і дозволяє здійснювати спрямоване зародкоутворення і зростання. Досліджено вплив величини переохолодження, що є необхідною умовою утворення спонтанних зародків, на кількість кристалів алмазу та їх розподіл у реакційному середовищі. Визначено залежність кількості вирощених кристалів від зміни р,Т-умов кристалізації алмазу.The process of diamond crystallization that occurs due to changes satiety in solution-melt systems on the basis Fe–Al and Fe–Co at the pressure 6±0,1 GPa by changing the temperature and allowing to carry out directed seeds formation and growth was investigated. The effect of supercooling temperature, which is a necessary condition for the formation of spontaneous seeds, the number of diamond crystals and their distribution in the reaction volume was investigated. The dependence of crystals grown with variation of p,T-conditions on diamond crystallization was defineded.