Будова шарів нітриду алюмінію, сформованих під час іонно-плазмового напилення

Abstract

З використанням іонно-плазмової розрядної системи одержано діелектричні шари нітриду алюмінію, що мають нанорозмірну структуру. Товщина шарів коливається від 35 до 50 μm при розмірі зерен 60…400 nm. Шорсткість поверхні при цьому знаходиться в межах 12…20 μm. Діелектричний шар складається з фази AlN структурного типу ZnO з періодом комірки a = 3,10 Å, c = 4,998 Å. Зерна фази текстуровані за напрямком [001].С использованием ионно-плазменной разрядной системы получено диэлектрические слои нитрида алюминия, которые имеют наноразмерную структуру. Толщина слоев колеблется от 35 до 50 μm при размере зерен 60…400 nm. Шероховатость поверхности при этом находится в пределах 12…20 μm. Диэлектрический слой состоит из фазы AlN структурного типа ZnO с периодом ячейки a = 3,10 Å, c = 4,998 Å. Зерна фазы текстурированны по направлению [001].Using the ion-plasma discharge system the aluminium nitride dielectric films with nanoscale structure were obtained. The thickness of layers varies from 35 to 50 μm with a grain size of 60…400 nm. Surface roughness is 12…20 μm. Type of crystal lattice is ZnO with periods a = 3.10 Å, c = 4.998 Å. Grains of phase are textured in direction [001].