О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Анотація
Для монокристаллов ниобия c различным структурным состоянием (после деформации прокаткой при 20 К и последовательного удаления поверхностных слоев) исследовано изменение прироста удельного электросопротивления, нормированного на величину средней плотности дислокаций в сердцевине Δρ/Nd. Для гомогенной структуры с высокой плотностью равномерно распределенных дислокаций (Nd=13*10¹⁰см⁻²) с учетом вклада вакансий в (Δρ) определена величина удельного электросопротивления единичной дислокации rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³. Выполнены количественные расчеты rd ниобия в рамках моделей резонансного рассеяния электронов на дислокациях.
Для монокристалів ніобію з різним структурним станом (після деформації прокаткою при 20 К і послідовного видалення поверхневих шарів) досліджено зміну приросту питомого електроопору, нормованого на величину середньої густини діслокацій у серцевині Δρ/Nd. Для гомогенної структури з високою густиною рівномірно розподілених дислокацій (Nd=13*10¹⁰см⁻²) з урахуванням вкладу вакансій в (Δρ)визначено величину питомого електроопору одиничної дислокації rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³. Здійснено кількісні розрахунки rd ніобію в рамках моделей резонансного розсіяння електронів на дислокаціях.
The change of specific electrical resistivity devided by the mean dislocation density in the core Δρr/Nd of niobium single crystals in different structure states is studied (after rolling deformation at 20 K and subsequent removal of surface layers). For a homogeneous-type structure of high-density dislocations (Nd=13*10¹⁰см⁻²) the value of specific electrical resistivity produced by dislocations rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³ is defined taking into account the vacancy part in (Δρ). The rd of niobium has been calculated quantitatively within the models of electron resonance scattering by dislocations.
Для монокристалів ніобію з різним структурним станом (після деформації прокаткою при 20 К і послідовного видалення поверхневих шарів) досліджено зміну приросту питомого електроопору, нормованого на величину середньої густини діслокацій у серцевині Δρ/Nd. Для гомогенної структури з високою густиною рівномірно розподілених дислокацій (Nd=13*10¹⁰см⁻²) з урахуванням вкладу вакансій в (Δρ)визначено величину питомого електроопору одиничної дислокації rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³. Здійснено кількісні розрахунки rd ніобію в рамках моделей резонансного розсіяння електронів на дислокаціях.
The change of specific electrical resistivity devided by the mean dislocation density in the core Δρr/Nd of niobium single crystals in different structure states is studied (after rolling deformation at 20 K and subsequent removal of surface layers). For a homogeneous-type structure of high-density dislocations (Nd=13*10¹⁰см⁻²) the value of specific electrical resistivity produced by dislocations rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³ is defined taking into account the vacancy part in (Δρ). The rd of niobium has been calculated quantitatively within the models of electron resonance scattering by dislocations.
Опис
Теми
Электpонные свойства металлов и сплавов
Цитування
О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия / В. И. Соколенко // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 4. — С. 362-366. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.