Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline

Abstract

An electric junction between porous silicon (n-type conductivity) and conductive polyaniline (p-type conductivity) has been made by electrochemical polymerization of aniline on the porous silicon surface. This heterostructure has been found to exhibit rectifying І-V characteristics. Under illumination, a considerable increase of the current is observed with a reverse bias. The structure photosensitivity is defined mainly by two barriers, namely, by the polymer/porous silicon interphase and the porous silicon/crystalline silicon barrier.Электрический контакт между пористым кремнием с n-типа проводимостью и проводящим полианилином с проводимостью p-типа изготовлен путем электрохимической полимеризации анилина на поверхности пористого кремния. Найдено, что такая гетероструктура демонстрирует выпрямляющие І-V характеристики. При освещении наблюдалось значительное повышение тока при обратном смещении. Фоточувствительность структуры преимущественно определяется двумя барьерами: интерфазой полимер-пористый кремний и пористый кремний-монокристаллический кремний.Електричний контакт мiж поруватим кремнiєм з n-типу провiднiстю i електропровiдним полiмером - полiанiлiном з провiднiстю p-типу створено шляхом електрохiмiчної полiмеризацiї анiлiну на поверхнi поруватого кремнiю. 3найдено, що така гетероструктура демонструє випрямляючi І-V характеристики. При освiтленнi спостерiгалося значне пiдвищення струму при зворотному змiщеннi. Фоточутливiсть структури переважно визначається двома бар'єрами: iнтерфазою полiмер-поруватий кремнiй та поруватий кремнiй-монокристалiчний кремнiй.