Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity

Abstract

The method of grids was used to calculate thermoelastic stresses on GaAs surface caused by a non-destructive laser exposure with diffraction spatial intensity modulation from a screen with a rectangular cut-out. The structure of irradiated near-surface layers of samples was studied using optical method. Periodic insular structures formed due to diffusive redistribution of defects were revealed using the level-by-level chemical etching.Методом сеток проводился расчет термоупругих напряжений на поверхности GaAs, возникающих при неразрушающем лазерном облучении с дифракционной пространственной модуляцией интенсивности от непрозрачного экрана с прямоугольным вырезом. Оптическим методом исследовалась структура облученных приповерхностных слоев кристаллов. Послойным химическим травлением выявлены периодические островковые структуры, образованные в результате диффузионного перераспределения дефектов.Методом сiток виконано розрахунок термопружних напружень на поверхнi GaAs, що виникають при неруйнiвному лазерному опромiненнi з дифракцiйною просторовою модуляцiєю iнтенсивностi вiд непрозорого екрана з прямокутним вирiзом. Оптичним методом дослiджувалася структура опромiнених приповерхневих шарiв кристалiв. Пошаровим хiмiчним травленням виявленi перiодичнi острiвцевi структури, що утворенi внаслiдок дифузiйного перерозподiлу дефектiв.