Экситон из пространственно-разделённых электрона и дырки в квазинульмерных наноструктурах
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Анотація
Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи основного состояния экситона из пространственно разделённых электрона и дырки (дырка движется в объёме полупроводниковой квантовой точки, а электрон локализован на внешней сферической поверхности раздела квантовая точка–диэлектрическая матрица) по сравнению с энергией связи экситона в монокристалле CdS.
Виявлено ефект істотного збільшення енергії зв’язку основного стану екситона з просторово розділеними електроном і діркою (дірка рухається в об’ємі напівпровідникової квантової точки, а електрон локалізований на зовнішній сферичній поверхні розділу квантова точка–матриця) порівняно з енергією зв’язку екситона у монокристалі CdS.
The effect of a substantial increase of the binding energy of an exciton with the spatially separated electron and hole as compared with the binding energy of an exciton within the single-crystalline CdS is found out.
Виявлено ефект істотного збільшення енергії зв’язку основного стану екситона з просторово розділеними електроном і діркою (дірка рухається в об’ємі напівпровідникової квантової точки, а електрон локалізований на зовнішній сферичній поверхні розділу квантова точка–матриця) порівняно з енергією зв’язку екситона у монокристалі CdS.
The effect of a substantial increase of the binding energy of an exciton with the spatially separated electron and hole as compared with the binding energy of an exciton within the single-crystalline CdS is found out.
Опис
Теми
Цитування
Экситон из пространственно-разделённых электрона и дырки в квазинульмерных наноструктурах / С.И. Покутний, А.П. Горбик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 4. — С. 777-781. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.