Полевые магнитотранзисторы

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Описаны конструкции транзисторов с магниточувствительностью, на один-два порядка превышающей чувствительность датчика Холла из аналогичного материала.
The transistors construction with magneto-sensitivity, that is on one or two orders higher than Hall generator sensitivity from the analogous material have been outlined.

Опис

Теми

Компоненты для электронной аппаратуры

Цитування

Полевые магнитотранзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 27-28. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced