Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України

Анотація

Эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью, имеет важное значение как для исследования фундаментальных свойств твердых тел, так и для создания новых типов уникальных технических устройств. Целью работы является исследование эффекта прохождения электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью в широком диапазоне параметров трехслойной структуры.
Ефект безвідбивного проходження електромагнітних хвиль через тришарову структуру, що містить шар з негативною діелектричною проникністю, має важливе значення як для дослідження фундаментальних властивостей твердих тіл, так і для створення нових типів унікальних технічних пристроїв. Метою роботи є дослідження ефекту проходження електромагнітних хвиль через тришарову структуру, що містить шар з негативною діелектричною проникністю в широкому діапазоні параметрів тришарової структури.
The effect of reflectionless transmission (tunneling) of electromagnetic waves through the three-layer structure containing a negative-permittivity layer is of great importance both for studying the fundamental properties of solids and for developing new types of unique technical devices. There is a need for investigation of the effect of reflectionless transmission of electromagnetic waves through the three-layer structure containing a negative-permittivity layer in a wide range of the three-layer structure parameters.

Опис

Теми

Радиофизика твердого тела и плазмы

Цитування

Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2018. — Т. 23, № 2. — С. 54-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced