Підвищення ефективності тепловідведення від потужних електронних пристроїв через термічні інтерфейси на основі плівок нітриду алюмінію

Abstract

Досліджено ефективність використання плівок нітриду алюмінію в якості термічного інтерфейсу. Показано, що такі плівки, отримані в гібридному геліконно-дуговому іонно-плазмовому реакторі, значно поліпшують відвід тепла від кристалів електронних пристроїв, зокрема, від потужних світлодіодів або світлодіодних збірок і таким чином істотно підвищують стабільність їх світіння, надійність і довговічність.Исследована эффективность использования пленок нитрида алюминия в качестве термического интерфейса. Показано, что такие пленки, полученные в гибридном геликонно-дуговом ионно-плазменном реакторе, значительно улучшают отвод тепла от кристаллов электронных устройств, в частности, от мощных светодиодов или светодиодных сборок и таким образом существенно повышают стабильность их свечения, надежность и долговечность.The efficiency of aluminum nitride films as thermal interfaces has been studied. It is shown that such films obtained in a hybrid helicon-arc ion-plasma reactor significantly improve the heat removal from the crystals of electronic devices, in particular, from powerful LEDs or LED assemblies, and thus noteworthy increase their luminosity, reliability, and durability.