Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение

Abstract

Показаны прикладные возможности использования модифицированного топографического метода Берга–Баррета в косоасимметричной схеме дифракции рентгеновских лучей на отражение при исследовании морфологии и структурных изменений вблизи поверхности кристаллов. Контролируемое изменение экстинкционной глубины проникновения рентгеновских лучей открывает новые возможности исследования структурных изменений в полупроводниковых материалах после различных внешних воздействий.Показано прикладні можливості використання модифікованої топографічної методи Берґа–Баррета в косоасиметричній схемі дифракції Рентґенових променів на відбивання при дослідженні морфології та структурних змін поблизу поверхні кристалів. Контрольована зміна екстинкційної глибини проникнення Рентґенових променів відкриває нові можливості дослідження структурних змін у напівпровідникових матеріялах після різних зовнішніх впливів.The applied capabilities of use of modified Berg–Barrett topographic method in the skew-asymmetric x-ray Bragg diffraction setup for the study of morphology and structural changes near crystal surface are shown. A controlled change in the extinction depth of x-ray penetration opens up new possibilities for investigation of structural changes in semiconductor materials after various external influences.