Низкополевая электронная эмиссия с квантоворазмерных структур оксида цинка
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Анотація
На полупроводниковых подложках (Si, GaP, GaAs) синтезированы массивы квантоворазмерных структур оксида цинка. Исследована полевая электронная эмиссия, предложены энергетические схемы эмиссии, учитывающие размерное квантование в наноструктурах оксида цинка.
An array of quantum-size zinc oxide structures has been synthesized on semiconductive supports (Si, GaP, GaAs). The field electron emission from quantum-sized zinc oxide was investigated. Eenergetic schemes were suggested of the field emission defined by dimensional quantification in zinc oxide nanostructures.
An array of quantum-size zinc oxide structures has been synthesized on semiconductive supports (Si, GaP, GaAs). The field electron emission from quantum-sized zinc oxide was investigated. Eenergetic schemes were suggested of the field emission defined by dimensional quantification in zinc oxide nanostructures.
Опис
Теми
Физико-химические свойства оксидных систем
Цитування
Низкополевая электронная эмиссия с квантоворазмерных структур оксида цинка / П.П. Горбик, А.А. Дадыкин, И.В. Дубровин, М.Н. Филоненко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 261-270. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.