Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)

Abstract

Расчеты оптимального пространственного строения (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) адсорбционного комплекса молекулы кислорода на кластере, моделирующем грань Si(111), показали, что на расстояниях, превышающих 0,35 нм, ось молекулы перпендикулярна поверхности и молекула находится в триплетном состоянии. При меньших значениях этого расстояния происходит триплет-синглетный переход, что обеспечивает связывание молекулы О₂ поверхностью кремния. С использованием расчетных данных выполнена оценка вероятности триплет-синглетного перехода в адсорбционном комплексе.Calculations of optimal spatial structure (TFG, B3LYP, 6-31G **) adsorption complex molecules of oxygen on the cluster medeliruyuschem face of the Si (111), showed that at distances greater than 0.35 nm, the axis perpendicular to the surface of the molecule and a molecule of O₂ is in the triplet state. At lower values of this distance occurs singlet-triplet transition, which provides binding molecules of O₂ silicon surface. Using the calculated data performed otsenkaveroyatnosti triplet-singlet transitions in the adsorption complex.Розрахунки оптимального просторової будови (ТФГ, B3LYP, 6-31G **) адсорбційного комплексу молекули кисню на кластері, який моделює грань Si (111), показали, що на відстанях, які перевищують 0,35 нм, вісь молекули перпендикулярна поверхні і молекула О₂ знаходиться в триплетному стані. При менших значеннях цієї відстані відбувається триплет-синглетний перехід, що забезпечує зв'язування молекули О₂ поверхнею кремнію. З використанням розрахункових даних виконана оцінка ймовірності триплет-синглетного переходу в адсорбційному комплексі.