Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных гетеропереходов n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄ , изготовленных методом магнетронного осаждения тонких пленок TiO₂ на подложки из кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ .
У даній роботі представлено результати досліджень кінетичних властивостей кристалів Cu₂ZnSnSe₄ створено анізотипні гетеропереходи n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄, визначено їх основні електричні параметри та побудовано енергетичну діаграму.
У даній роботі представлено результати досліджень кінетичних властивостей кристалів Cu₂ZnSnSe₄ створено анізотипні гетеропереходи n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄, визначено їх основні електричні параметри та побудовано енергетичну діаграму.

Опис

Теми

Материалы электроники

Цитування

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе / Т.Т. Ковалюк, Э.В. Майструк, М.Н. Солован, И.П. Козярский, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 37-43. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced