Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Анотація
The model of spatial-temporal distribution of point defects in a three-layer stressed nanoheterosystem GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs considering the self-assembled deformation-diffusion interaction is constructed.
Побудовано модель просторово-часового розподiлу точкових дефектiв у тришаровiй напруженiй наногетеросистемi GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs з врахуванням самоузгодженої деформацiйно-дифузiйної взаємодiї.
Побудовано модель просторово-часового розподiлу точкових дефектiв у тришаровiй напруженiй наногетеросистемi GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs з врахуванням самоузгодженої деформацiйно-дифузiйної взаємодiї.
Опис
Теми
Цитування
Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model / R.M. Peleshchak, N.Ya. Kulyk, M.V. Doroshenko // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 23602: 1–12. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.