Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях

Abstract

Исследуются радиационные процессы формирования аморфно-микрокристаллических гетероструктур с квантовыми нитями, обеспечивающие вывод носителей заряда из объема полупроводника в кремниевых фотопреобразователях нового поколения.Досліджено радіаційні процеси формування аморфно-мікрокристалічних гетероструктур з квантовими нитями, які забезпечують відведення носіїв заряду з об'єму напівпровідника у кремнієвих фотоперетворювачах нового покоління.Radiation processes of formation of amorphous-microcrystalline heterostructures with the quantum threads, providing charge carriers collection from semiconductor bulk in the silicon photoconverters of new generation are investigated.