Оптический отклик на сверхпроводящий переход: альтернативные критерии для инфракрасного и видимого диапазонов частот

Abstract

Проведены сравнительные оптические измерения температурного поведения пропускания сверхпроводя­щих пленок YВа₂Си₃О₆₊x для видимых и инфракрасных световых полей. Экспериментально выделены два различных электронноструктурных орто-состояния (высокотемпературная и низкотемпературна фазы), ко­торые определяют альтернативное температурное поведение пропускания в видимой и инфракрасной об­ластях и его чувствительность к Тc. Экспериментальные факты свидетельствуют о существовании двух различных механизмов спаривания в этих фазах, ответственных за образование двухкомпонентного сверх­проводящего конденсата в YВа₂Си₃О₆₊x.Проведено порівняльні оптичні вимірювання температурної поведінки пропускання надпровідних плівок YВа₂Сu₃О₆₊x (в видимих та інфрачервоних полях). Експериментально виділено два різних електронно-структурних орто-стана (високотемпературна і низькотемпературна фази), котрі визначають альтернативну тем­пературну поведінку пропускання у видимій та інфрачервоній областях і його чутливість до Тс. Експе­риментальні факти свідчать про наявність двох різних механізмів спарювання в цих фазах, відповідальних за утворення двокомпонентного надпровідного конденсату в YВа₂Сu₃О₆₊x.Comparison optical measurements of temperature behavior of transmission of superconducting YВа₂Сu₃О₆₊x, films are performed in visible and in­frared light fields. We manage to distinguish two elec­tronic structural ortho-states (high- and low tempera­ture phase) which define the alternative temperature behaviors of visible and infra-red transmission and the sensitivity to Tc. The experimental data suggest that there are two different mechanisms of pairing in the HP and LP phases which are responsible for the formation of a two-component superconductivity condensate in YВа₂Сu₃О₆₊x.