Изучение поверхностной энергетической релаксации электронов проводимости в висмуте методом поперечной электронной фокусировки

Abstract

Из анализа положения первой и второй линий поперечной электронной фокусировки на шкале маrнит­ных полей определена величина потери избыточной энерrии электронов проводимости в висмуте в результате столкновения с границей кристалла при нормальном падении, а также вид функциональной зависимости этой величины от значения начальной избыточной энерrии. Обнаружено, что, начиная сотносительно малых значений избыточной энергии (~ 3 мэВ), наблюдается заметное уменьшение энерrии при отражении элект­ронов от границы.Із аналізу положення першої та друrої ліній поперечноrо електронноrо фокусування на шкалі магнітних полів визначено величину втрати надмірної енергії електронів провідності у вісмуті внаслідок зіткнення з межою кристала при нормальному падінні, а також від функціональної залежності цієї величини від значення начальної надмірної енергії. Виявлено, що, починаючи з відносно малих значень надмірної енергії ( ~ 3 меВ), спостерігається помітне зменшення енергії при відбитті електронів від межі.The position of the first and second lines of transverse electron focusing on the scale of magnetic fields is analyzed to determine the loss of excess energy of conduction electrons in bismuth as a result of collisions with the crystal boundary upon normal incidence as well as the shape of the functional dependence of this quantity on the initial excess energy. It is found that beginning from relatively low values of excess energy (∼3 meV), a sharp drop in energy occurs upon reflection of electrons at the boundary.