Низкотемпературная пластичность разбавленных твердых растворов Ne в n-H₂

Abstract

Образцы сильно разбавленных твердых растворов Ne в n-Н₂ были испытаны в режиме ступенчатого одноосного растяжения при температурах 1,8-4,2 К. Наблюдалось четко выраженное пластифицирующее влияние примеси неона: при фиксированной температуре для получения одной и той же деформации требо вались более низкие нагрузки в кристаллах с более высоким содержанием неона. Предел прочности легиро­ванных неоном кристаллов оказался заметно ниже, чем для чистых кристаллов нормального водорода. Исследована также ползучесть указанных твердых растворов. Понижение прочности n-Н₂ может быть связано со спецификой механизма преодоления дислокациями кристаллическоrо барьера вблизи примеси, которая, по-видимому, образует вандерваальсовый комплекс с кристаллическим окружением.Зразки дуже розбавлених твердих розчинів Ne в n-Н₂ досліджено у режимі ступеневого одновісного розтягу при температурах 1,8-4,2 К. Виявлено чіткий пластифікуючий вплив домішки неону: при фіксованій температурі для отримання тієї ж самої деформації потрібні нижчі навантаження в кристалах з більшим вмістом неону. Границя міцності легованих неоном кристалів виявилась значно нижчею, ніж в чистих крис­талах нормального водню. Досліджено також повзучість вказаних твердих розчинів. Зниження міцності n-Н₂ може бути пов'язано із специфікою механізму подолання дислокаціями кристалічного бар'єру біля домішки, котра, можливо, утворює вандерваальсовий комплекс з кристалевим оточенням.Samples of strongly dilute solid solutions of Ne in n-Н₂ are tested under step-wise axial extension at temperatures 1.8–4.2 K. A clearly manifested plasticization effect of neon impurities has been observed: smaller loads are required for crystals with a higher neon concentration to obtain the same strain at a fixed temperature. The ultimate strength of neon-doped crystals is noticeably lower than for pure samples of normal hydrogen. The creep of such solid solutions has also been studied. The decrease in the strength of n-Н₂ can be due to a specific mechanism of overcoming by dislocations of the barrier formed near impurities which probably form Van der Waals complexes with the crystal environment.